Term / 术语
DRAM
Dynamic Random Access Memory
简明解释
以电容中的电荷保存数据、需要周期刷新并广泛用作主内存的易失性存储技术。
典型 DRAM 单元由一个晶体管和一个电容组成,存储密度高、每位成本低。电容会漏电,因此控制器必须在信息衰减前刷新各行。
DRAM 通常把单元排列成行列阵列,并复用地址引脚依次选择行和列。它比 SRAM 慢,但更适合构建大容量系统内存。
Term / 术语
Dynamic Random Access Memory
以电容中的电荷保存数据、需要周期刷新并广泛用作主内存的易失性存储技术。
典型 DRAM 单元由一个晶体管和一个电容组成,存储密度高、每位成本低。电容会漏电,因此控制器必须在信息衰减前刷新各行。
DRAM 通常把单元排列成行列阵列,并复用地址引脚依次选择行和列。它比 SRAM 慢,但更适合构建大容量系统内存。
Hardware
从内存层次、SRAM、DRAM 与 DDR 出发,系统讲解 NAND Flash、SSD 控制器、FTL、ECC、RAID 奇偶校验以及 SSD 寿命与可靠性设计。
Hardware / Programming Languages
从局部性原理出发,具体讲解 CPU 缓存的索引、标签匹配、组相联结构、写入策略,以及面向缓存的代码重构方法。