Term / 术语
SRAM
Static Random Access Memory
简明解释
用双稳态电路保存数据、无需周期刷新且访问速度很快的易失性半导体内存。
典型 SRAM 单元使用多个晶体管构成锁存器,只要持续供电就能维持状态。它不需要像 DRAM 那样周期刷新,因此延迟较低。
每位占用的晶体管和硅面积较多,导致容量密度较低、成本较高。SRAM 因此常用于 CPU Cache 和片上小容量高速存储,而不是大容量主内存。
Term / 术语
Static Random Access Memory
用双稳态电路保存数据、无需周期刷新且访问速度很快的易失性半导体内存。
典型 SRAM 单元使用多个晶体管构成锁存器,只要持续供电就能维持状态。它不需要像 DRAM 那样周期刷新,因此延迟较低。
每位占用的晶体管和硅面积较多,导致容量密度较低、成本较高。SRAM 因此常用于 CPU Cache 和片上小容量高速存储,而不是大容量主内存。
Hardware
从内存层次、SRAM、DRAM 与 DDR 出发,系统讲解 NAND Flash、SSD 控制器、FTL、ECC、RAID 奇偶校验以及 SSD 寿命与可靠性设计。
Hardware / Programming Languages
从局部性原理出发,具体讲解 CPU 缓存的索引、标签匹配、组相联结构、写入策略,以及面向缓存的代码重构方法。